japan. Physiker; Nobelpreis 1973 für Physik zus. mit Ivar Giaever und Brian Josephson für Entdeckungen bezügl. der Tunneleffekte in Festkörpern; Erfinder der nach ihm benannten Esaki-Diode
* 12. März 1925 Osaka
Herkunft
Leo (eigtl. Reno) Esaki wurde am 12. März 1925 in Osaka in Japan als Sohn eines Architekten geboren.
Ausbildung
Er besuchte die Doshisha Mittelschule und die Daisan High School, um anschließend in Tokio Physik zu studieren. 1947 erwarb er den Grad eines Master of Science (M.S.). 1959 promovierte er an der Universität Tokio zum Doktor der Physik (Ph.D.).
Wirken
E.s wissenschaftliche Karriere spielte sich bis in die 90er Jahre ausschließlich in der Industrie ab. Von 1947 bis 1955 arbeitete er zunächst als Forscher bei der Kobe Corporation in Japan. Danach war er von 1956 bis 1960 Leiter der Abteilung Physik bei der weltbekannten japanischen Sony Corp. in Tokio. 1960 wechselte er in das Thomas-J.-Watson-Forschungszentrum der IBM Corporation in Yorktown Heights bei New York. 1965 wurde er "IBM Fellow", die höchste Forschungsposition, die das Unternehmen zu vergeben hatte. Hier spezialisierte er sich auch auf die Entwicklung von Halbleiter-"Supragittern". 1976-1992 war er Direktoriums-Mitglied der IBM Japan, seit 1976 zudem auch Direktoriumsmitglied der Yamada ...